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bauteil:transistoren [2019/12/15 16:21] – + PN4117A kmk | bauteil:transistoren [2021/06/02 19:50] – [MOSFET, N-Kanal] + STD3LN80K5 kmk | ||
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====== Hohe Stromverstärkung ======= | ====== Hohe Stromverstärkung ======= | ||
Eine wichtige Eigenschaft, | Eine wichtige Eigenschaft, | ||
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+ | Die Stromverstärkung eines einzelnen Transistors kann technisch bedingt nicht beliebig hohe Werte annehmen. Als Ausweg kann man zwei Transistoren so zusammenschalten, | ||
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====== Hohe Frequenz ====== | ====== Hohe Frequenz ====== | ||
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Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | ||
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===== JFET, N-Kanal ===== | ===== JFET, N-Kanal ===== | ||
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+ | Die überwiegende Mehrheit der J-FETs ist wegen ihres vergleichsweise hohen Restwiderstands nur für kleine Ströme geeignet. Es gibt Ausnahmen, die allerdings ihren Exotenstatus durch Preise jenseits von 20 EUR/Stck anzeigen. | ||
- | Die überwiegende Mehrheit der J-FETs ist wegen ihres vergleichsweise hohen Restwiderstands nur für kleine Ströme geeignet. | + | Genau wie bei den MOSFETs gibt es JFETs ebenfalls in Ausführungen mit N-Kanal und mit P-Kanal. Dabei sind J-FETS mit N-Kanal deutlich üblicher. Diese sperren bei einer negativen Spannung zwischen Gate und Source. |
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Der extrem geringe Leckstrom macht die 2N4117A zum traditionellen Mittel der Wahl für kapazitive Sensoren. Die nächstbeste Wahl ist ein MMBF4117. | Der extrem geringe Leckstrom macht die 2N4117A zum traditionellen Mittel der Wahl für kapazitive Sensoren. Die nächstbeste Wahl ist ein MMBF4117. | ||
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+ | ===== JFET, P-Kanal ===== | ||
+ | Die grundsätzlichen Eigenschaften der JFETs mit P-Kanal ähneln denen von JFETs mit N-Kanal, nur dass alle Spannungen das entgegengesetzte Vorzeichen haben. Sie sperren also wenn das Gate eine positive Spannung relativ zu Source aufweist. | ||
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====== IGBTs ====== | ====== IGBTs ====== | ||
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- | ^ Typ ^ Bauform | + | ^ Typ |
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- | | [[http://www.fairchildsemi.com/ds/HG/HGTG12N60A4.pdf|HGTG12N60A4 ]] | + | | [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF|HGTG12N60A4 ]] |
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