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bauteil:dioden [2024/01/16 23:28] – [Transient Votage Suppressor (TVS)] linkfix kmkbauteil:dioden [2024/02/14 19:14] (current) – [Schottky] broken link entfernt kmk
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   * [[http://www.vishay.com/doc?85630|LL103]] ist eine Schottky-Diode in für maximal 200 mA in der Bauform [[wpde>MiniMELF]]. (Das sind die kleinen, zylinderförmigen Tonnen)    * [[http://www.vishay.com/doc?85630|LL103]] ist eine Schottky-Diode in für maximal 200 mA in der Bauform [[wpde>MiniMELF]]. (Das sind die kleinen, zylinderförmigen Tonnen) 
   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BAT54_SER.pdf|BAT54S]], oder [[https://www.tme.eu/en/Document/93c665db87a68d784ddafc3a861e3d18/BAT6402VH6327XTSA1.pdf|BAT64-04]]. SOT23. Zwei Schottky-Dioden in einem Bauteil. Gut geeignet zum Schutz von Logik-Eingängen.   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BAT54_SER.pdf|BAT54S]], oder [[https://www.tme.eu/en/Document/93c665db87a68d784ddafc3a861e3d18/BAT6402VH6327XTSA1.pdf|BAT64-04]]. SOT23. Zwei Schottky-Dioden in einem Bauteil. Gut geeignet zum Schutz von Logik-Eingängen.
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/fairchild%20semiconductor_mmbd1703-544415.pdf|MMBD1703A]]LINK-BROKEN__. Recht schnelle Diode mit 1 ns Erholungszeit. Das ist 1/5 der Zeit, die die 1N4148 braucht. Wird nicht mehr hergestellt. Es gibt aber noch einige Exemplare im Schrank der ElektronIQ.+  * [[http://www.mouser.com/ds/2/149/fairchild%20semiconductor_mmbd1703-544415.pdf|MMBD1703A]]. Recht schnelle Diode mit 1 ns Erholungszeit. Das ist 1/5 der Zeit, die die 1N4148 braucht. Wird nicht mehr hergestellt. Es gibt aber noch einige Exemplare im Schrank der ElektronIQ.
   * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Avago%20PDFs/HSMS-285x.pdf|HSMS-286x]]. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert.   * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Avago%20PDFs/HSMS-285x.pdf|HSMS-286x]]. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert.
   * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Avago%20PDFs/HSMS-286x.pdf|HSMS-286x]]. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz.   * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Avago%20PDFs/HSMS-286x.pdf|HSMS-286x]]. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz.
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 Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als "echte" Dioden. Die üblichen Silizium-Dioden lassen bei Raumtemperatur etwa 5 µA in Sperrrichtung durch. Das steigt bei 100 °C auf immerhin 500 µA an. Der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor bei den meisten bipolaren Kleinsignal-Transistoren liegt dagegen bei 5 nA bei Raumtemperatur.  Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als "echte" Dioden. Die üblichen Silizium-Dioden lassen bei Raumtemperatur etwa 5 µA in Sperrrichtung durch. Das steigt bei 100 °C auf immerhin 500 µA an. Der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor bei den meisten bipolaren Kleinsignal-Transistoren liegt dagegen bei 5 nA bei Raumtemperatur. 
  
-Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117]] sind es sogar nur 0.1 pA. Leider wird dieser spezielle Transistor nicht mehr hergestellt und man bezahlt für Einzelstücke aus Restbeständen Seltenheitspreise von 7 EUR und mehr. Die nächste Annäherung aus laufender Produktion ist der __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/MMBF4117-195757.pdf|MMBF4117]]LINK-BROKEN__, bei dem immerhin 2 pA Leckstrom im Datenblatt angegeben sind.+Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117]] sind es sogar nur 0.1 pA. Leider wird dieser spezielle Transistor nicht mehr hergestellt und man bezahlt für Einzelstücke aus Restbeständen Seltenheitspreise von 7 EUR und mehr. Die nächste Annäherung aus laufender Produktion ist der JFET {{:bauteil:datenblaetter:fairchild_semiconductor_mmbd1703.pdf|MMBF4117}}, bei dem immerhin nur 2 pA Leckstrom im Datenblatt angegeben sind. 
  
 Der NPN-Transistor [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF|2N3904]] wird ebenfalls zum Einsatz als Diode mit besonders geringem Leckstrom empfohlen. Da bei ihm der PN-Übergang kleiner als bei regulären Dioden ist, ist er für hohe Frequenzen (> 100 kHz) die bessere Wahl. Ansonsten ist es ein recht populärer Klassiker, der von mehreren Herstellern angeboten wird. In der englischen Wikipedia gibt es zu diesem Transistor [[WP>2N904|einen eigenen Artikel]]. Der NPN-Transistor [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF|2N3904]] wird ebenfalls zum Einsatz als Diode mit besonders geringem Leckstrom empfohlen. Da bei ihm der PN-Übergang kleiner als bei regulären Dioden ist, ist er für hohe Frequenzen (> 100 kHz) die bessere Wahl. Ansonsten ist es ein recht populärer Klassiker, der von mehreren Herstellern angeboten wird. In der englischen Wikipedia gibt es zu diesem Transistor [[WP>2N904|einen eigenen Artikel]].