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bauteil:dioden [2024/01/16 23:28] – [Transient Votage Suppressor (TVS)] linkfix kmk | bauteil:dioden [2024/02/14 18:47] – [Transistoren als bessere Diode] lokales Datenblatt MMBF4117 kmk | ||
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Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | ||
- | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// | + | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// |
Der NPN-Transistor [[https:// | Der NPN-Transistor [[https:// |