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bauteil:dioden [2024/01/16 23:28] – [Transient Votage Suppressor (TVS)] linkfix kmkbauteil:dioden [2024/02/14 18:47] – [Transistoren als bessere Diode] lokales Datenblatt MMBF4117 kmk
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 Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als "echte" Dioden. Die üblichen Silizium-Dioden lassen bei Raumtemperatur etwa 5 µA in Sperrrichtung durch. Das steigt bei 100 °C auf immerhin 500 µA an. Der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor bei den meisten bipolaren Kleinsignal-Transistoren liegt dagegen bei 5 nA bei Raumtemperatur.  Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als "echte" Dioden. Die üblichen Silizium-Dioden lassen bei Raumtemperatur etwa 5 µA in Sperrrichtung durch. Das steigt bei 100 °C auf immerhin 500 µA an. Der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor bei den meisten bipolaren Kleinsignal-Transistoren liegt dagegen bei 5 nA bei Raumtemperatur. 
  
-Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117]] sind es sogar nur 0.1 pA. Leider wird dieser spezielle Transistor nicht mehr hergestellt und man bezahlt für Einzelstücke aus Restbeständen Seltenheitspreise von 7 EUR und mehr. Die nächste Annäherung aus laufender Produktion ist der __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/MMBF4117-195757.pdf|MMBF4117]]LINK-BROKEN__, bei dem immerhin 2 pA Leckstrom im Datenblatt angegeben sind.+Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117]] sind es sogar nur 0.1 pA. Leider wird dieser spezielle Transistor nicht mehr hergestellt und man bezahlt für Einzelstücke aus Restbeständen Seltenheitspreise von 7 EUR und mehr. Die nächste Annäherung aus laufender Produktion ist der JFET {{:bauteil:datenblaetter:fairchild_semiconductor_mmbd1703.pdf|MMBF4117}}, bei dem immerhin nur 2 pA Leckstrom im Datenblatt angegeben sind. 
  
 Der NPN-Transistor [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF|2N3904]] wird ebenfalls zum Einsatz als Diode mit besonders geringem Leckstrom empfohlen. Da bei ihm der PN-Übergang kleiner als bei regulären Dioden ist, ist er für hohe Frequenzen (> 100 kHz) die bessere Wahl. Ansonsten ist es ein recht populärer Klassiker, der von mehreren Herstellern angeboten wird. In der englischen Wikipedia gibt es zu diesem Transistor [[WP>2N904|einen eigenen Artikel]]. Der NPN-Transistor [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF|2N3904]] wird ebenfalls zum Einsatz als Diode mit besonders geringem Leckstrom empfohlen. Da bei ihm der PN-Übergang kleiner als bei regulären Dioden ist, ist er für hohe Frequenzen (> 100 kHz) die bessere Wahl. Ansonsten ist es ein recht populärer Klassiker, der von mehreren Herstellern angeboten wird. In der englischen Wikipedia gibt es zu diesem Transistor [[WP>2N904|einen eigenen Artikel]].