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bauteil:dioden [2022/03/28 13:44] – kmkbauteil:dioden [2024/01/16 23:28] – [Transient Votage Suppressor (TVS)] linkfix kmk
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 ==== Universal-Silizium (DUS) ==== ==== Universal-Silizium (DUS) ====
-  * [[http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4001.pdf|1N400*]], oder __ BROKEN-LINK:[[http://www.dccomponents.com/upload/product/original/434948619622.pdf|M*]]LINK-BROKEN__ +  * {{bauteil:1n4001-d.pdf|1N400*}}, oder {{bauteil:m1-m7.pdf|M*}}
     * Maximaler Dauerstrom: 1 A     * Maximaler Dauerstrom: 1 A
     * Maximaler Stoßstrom: 30 A     * Maximaler Stoßstrom: 30 A
     * Maximale Gegenspannung: Zwischen 50V und 1kV, je höher die letzte Zahl im Namen, desto höher.     * Maximale Gegenspannung: Zwischen 50V und 1kV, je höher die letzte Zahl im Namen, desto höher.
-    * Erholungszeit: Die Erholungszeit wird bezeichnenderweise im Datenblatt nicht spezifiziert. Sie liegt in der Gegend von [[https://web.archive.org/web/20170102085826/http://www.cliftonlaboratories.com/diode_turn-on_time.htm|einigen 100 ns]].+    * Erholungszeit: Die Erholungszeit wird bezeichnenderweise im Datenblatt nicht spezifiziert. Sie liegt in der Gegend von __ BROKEN-LINK:[[https://web.archive.org/web/20170102085826/http://www.cliftonlaboratories.com/diode_turn-on_time.htm|einigen 100 ns]]LINK-BROKEN__.
     * Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*)     * Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*)
-  * [[http://www.fairchildsemi.com/ds/BA/BAV103.pdf|BAV103]] Standard-Silizium-Diode+  * {{bauteil:bav103-d.pdf|BAV103}} Standard-Silizium-Diode
     * Maximaler Dauerstrom: 500 mA     * Maximaler Dauerstrom: 500 mA
     * Maximaler Stoßstrom: 1 A     * Maximaler Stoßstrom: 1 A
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     * Erholungszeit: 50 ns     * Erholungszeit: 50 ns
     * Bauform: SMD → [[wpde>MELF|Minimelf]]     * Bauform: SMD → [[wpde>MELF|Minimelf]]
-  *  [[http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4148.pdf|1N4148]] und [[http://www.fairchildsemi.com/ds/LL/LL4148.pdf|LL4148]]. Schnelle Standard-Silizium-Diode.+  * {{bauteil:1n4148-d.pdf|1N4148}} und {{bauteil:ll4148-d.pdf|LL4148}}. Schnelle Standard-Silizium-Diode.
     * Maximale Gegenspannung: 100 V     * Maximale Gegenspannung: 100 V
     * Maximaler Dauerstrom: 300 mA     * Maximaler Dauerstrom: 300 mA
     * Erholungszeit: 4 ns     * Erholungszeit: 4 ns
     * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148)     * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148)
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/UF4007-890163.pdf|UF4007]]LINK-BROKEN__. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St.+  * {{bauteil:uf4007.pdf|UF4007}}. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St.
     * Maximale Gegenspannung: 1 kV     * Maximale Gegenspannung: 1 kV
     * Maximaler Dauerstrom: 1 A     * Maximaler Dauerstrom: 1 A
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   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BAT54_SER.pdf|BAT54S]], oder [[https://www.tme.eu/en/Document/93c665db87a68d784ddafc3a861e3d18/BAT6402VH6327XTSA1.pdf|BAT64-04]]. SOT23. Zwei Schottky-Dioden in einem Bauteil. Gut geeignet zum Schutz von Logik-Eingängen.   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BAT54_SER.pdf|BAT54S]], oder [[https://www.tme.eu/en/Document/93c665db87a68d784ddafc3a861e3d18/BAT6402VH6327XTSA1.pdf|BAT64-04]]. SOT23. Zwei Schottky-Dioden in einem Bauteil. Gut geeignet zum Schutz von Logik-Eingängen.
   * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/fairchild%20semiconductor_mmbd1703-544415.pdf|MMBD1703A]]LINK-BROKEN__. Recht schnelle Diode mit 1 ns Erholungszeit. Das ist 1/5 der Zeit, die die 1N4148 braucht. Wird nicht mehr hergestellt. Es gibt aber noch einige Exemplare im Schrank der ElektronIQ.   * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/fairchild%20semiconductor_mmbd1703-544415.pdf|MMBD1703A]]LINK-BROKEN__. Recht schnelle Diode mit 1 ns Erholungszeit. Das ist 1/5 der Zeit, die die 1N4148 braucht. Wird nicht mehr hergestellt. Es gibt aber noch einige Exemplare im Schrank der ElektronIQ.
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1377EN|HSMS-285x]]LINK-BROKEN__. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert. +  * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Avago%20PDFs/HSMS-285x.pdf|HSMS-286x]]. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert. 
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1388EN|HSMS-286x]]LINK-BROKEN__. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz.+  * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/Avago%20PDFs/HSMS-286x.pdf|HSMS-286x]]. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz.
   * [[http://www.google.com/url?sa=t&source=web&cd=1&ved=0CBgQFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.fairchildsemi.com%2Fds%2FMB%2FMBR1045.pdf&rct=j&q=MBR1060&ei=tufSTMXwCsf4sgb029X9Cw&usg=AFQjCNFCFWx9L7io3J7Wjc8LeKirSpG5Sw&sig2=9OLTHA3WdL0aLXIU03Lw8g&cad=rja|MBR1060]]. Durch die Bauform [[http://en.wikipedia.org/wiki/TO220|TO220]] eignet sich diese Diode für Stromstöße bis 100A. Erhältlich bei Reichelt für 40 ¢.   * [[http://www.google.com/url?sa=t&source=web&cd=1&ved=0CBgQFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.fairchildsemi.com%2Fds%2FMB%2FMBR1045.pdf&rct=j&q=MBR1060&ei=tufSTMXwCsf4sgb029X9Cw&usg=AFQjCNFCFWx9L7io3J7Wjc8LeKirSpG5Sw&sig2=9OLTHA3WdL0aLXIU03Lw8g&cad=rja|MBR1060]]. Durch die Bauform [[http://en.wikipedia.org/wiki/TO220|TO220]] eignet sich diese Diode für Stromstöße bis 100A. Erhältlich bei Reichelt für 40 ¢.
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/389/CD00001325-250676.pdf|STPS2L25U]]LINK-BROKEN__ Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, die 25 V aushält und bis zu 2 A durchleiten kann. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für unter 10 ¢.+  * [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/stps2l25.pdf|STPS2L25U]] Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, die 25 V aushält und bis zu 2 A durchleiten kann. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für unter 10 ¢.
  
 ==== Zener ==== ==== Zener ====
 [[http://de.wikipedia.org/wiki/Zener-Diode|Zener-Dioden]] werden in Sperrichtung jenseits einer bestimmten Spannung leitend. In Durchlassrichtung verhalten sich Zenerdioden wie normale Dioden. Der Knick zwischen sperrend und leitend ist um so schärfer, je höher die Zener-Spanung liegt. [[http://de.wikipedia.org/wiki/Zener-Diode|Zener-Dioden]] werden in Sperrichtung jenseits einer bestimmten Spannung leitend. In Durchlassrichtung verhalten sich Zenerdioden wie normale Dioden. Der Knick zwischen sperrend und leitend ist um so schärfer, je höher die Zener-Spanung liegt.
-  * [[http://www.diotec.com/pdf/zpy1.pdf|ZPYxx]] bedrahtet, 1.3W+  * [[https://diotec.com/request/datasheet/zpy1.pdf|ZPYxx]] bedrahtet, 1.3W
   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BZX79.pdf|BZX79-B/Cxx]], bedrahtet, 400 mW   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BZX79.pdf|BZX79-B/Cxx]], bedrahtet, 400 mW
   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BZV55_SER.pdf|BZV55Cxx]], Minimelf, 500 mW   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BZV55_SER.pdf|BZV55Cxx]], Minimelf, 500 mW
-  * [[http://www.vishay.com/docs/85763/bzx84v.pdf|BZX84Cxx]], SOT23, 300 mW+  * [[https://www.vishay.com/doc?86338|BZX84Cxx]], SOT23, 300 mW
  
 ==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== ==== Mit sehr wenig Leckstrom ====
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 ==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== ==== Transient Votage Suppressor (TVS) ====
 TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung.
-  * [[http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000694.pdf|BZW06]] sind bedrahtete TVS-Dioden, die kurzzeitig bis zu 600 W aufnehmen können. Bei der bidirektionalen Version ist ein "B" an den Namen angehängt.+  * [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/bzw06-5v8.pdf|BZW06]] sind bedrahtete TVS-Dioden, die kurzzeitig bis zu 600 W aufnehmen können. Bei der bidirektionalen Version ist ein "B" an den Namen angehängt.
   * [[http://www.littelfuse.com/products/tvs-diodes/leaded/~/media/Electronics/Datasheets/TVS_Diodes/Littelfuse_TVS_Diode_P6KE_Datasheet.pdf.pdf|P6KExxx]] sind eine Alternative zu den BZW06. Bei ihnen hat die bidirektionale Version die Endung "CA".   * [[http://www.littelfuse.com/products/tvs-diodes/leaded/~/media/Electronics/Datasheets/TVS_Diodes/Littelfuse_TVS_Diode_P6KE_Datasheet.pdf.pdf|P6KExxx]] sind eine Alternative zu den BZW06. Bei ihnen hat die bidirektionale Version die Endung "CA".
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.taiwansemi.com/products/datasheet/P6SMB%20SERIES_N1701.pdf|P6SMBxxx]]LINK-BROKEN__ sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung "CA".+  * [[https://www.vishay.com/docs/88370/p6smb.pdf|P6SMBxxx]] sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung "CA".
  
 ==== Nahezu ideale Dioden ==== ==== Nahezu ideale Dioden ====