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bauteil:dioden [2022/03/28 13:43] – [Universal-Silizium (DUS)] kmkbauteil:dioden [2022/03/28 13:44] – kmk
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 ==== Universal-Silizium (DUS) ==== ==== Universal-Silizium (DUS) ====
-  * [[http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4001.pdf|1N400*]], oder __ BROKEN-LINK:[[http://www.dccomponents.com/upload/product/original/434948619622.pdf|M*]] LINK-BROKEN __ +  * [[http://www.fairchildsemi.com/ds/1N/1N4001.pdf|1N400*]], oder __ BROKEN-LINK:[[http://www.dccomponents.com/upload/product/original/434948619622.pdf|M*]]LINK-BROKEN__ 
     * Maximaler Dauerstrom: 1 A     * Maximaler Dauerstrom: 1 A
     * Maximaler Stoßstrom: 30 A     * Maximaler Stoßstrom: 30 A
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     * Erholungszeit: 4 ns     * Erholungszeit: 4 ns
     * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148)     * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148)
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/UF4007-890163.pdf|UF4007]] LINK-BROKEN __. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St.+  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/UF4007-890163.pdf|UF4007]]LINK-BROKEN__. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St.
     * Maximale Gegenspannung: 1 kV     * Maximale Gegenspannung: 1 kV
     * Maximaler Dauerstrom: 1 A     * Maximaler Dauerstrom: 1 A
-    * Erholungszei +    * Erholungszeit: 75 µs
-t: 75 µs+
     * Bauform: bedrahtet → DO-41 ( = DO-201AL)     * Bauform: bedrahtet → DO-41 ( = DO-201AL)
  
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   * [[http://www.vishay.com/doc?85630|LL103]] ist eine Schottky-Diode in für maximal 200 mA in der Bauform [[wpde>MiniMELF]]. (Das sind die kleinen, zylinderförmigen Tonnen)    * [[http://www.vishay.com/doc?85630|LL103]] ist eine Schottky-Diode in für maximal 200 mA in der Bauform [[wpde>MiniMELF]]. (Das sind die kleinen, zylinderförmigen Tonnen) 
   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BAT54_SER.pdf|BAT54S]], oder [[https://www.tme.eu/en/Document/93c665db87a68d784ddafc3a861e3d18/BAT6402VH6327XTSA1.pdf|BAT64-04]]. SOT23. Zwei Schottky-Dioden in einem Bauteil. Gut geeignet zum Schutz von Logik-Eingängen.   * [[https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BAT54_SER.pdf|BAT54S]], oder [[https://www.tme.eu/en/Document/93c665db87a68d784ddafc3a861e3d18/BAT6402VH6327XTSA1.pdf|BAT64-04]]. SOT23. Zwei Schottky-Dioden in einem Bauteil. Gut geeignet zum Schutz von Logik-Eingängen.
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/fairchild%20semiconductor_mmbd1703-544415.pdf|MMBD1703A]] LINK-BROKEN __. Recht schnelle Diode mit 1 ns Erholungszeit. Das ist 1/5 der Zeit, die die 1N4148 braucht. Wird nicht mehr hergestellt. Es gibt aber noch einige Exemplare im Schrank der ElektronIQ. +  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/fairchild%20semiconductor_mmbd1703-544415.pdf|MMBD1703A]]LINK-BROKEN__. Recht schnelle Diode mit 1 ns Erholungszeit. Das ist 1/5 der Zeit, die die 1N4148 braucht. Wird nicht mehr hergestellt. Es gibt aber noch einige Exemplare im Schrank der ElektronIQ. 
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1377EN|HSMS-285x]] LINK-BROKEN __. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert. +  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1377EN|HSMS-285x]]LINK-BROKEN__. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert. 
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1388EN|HSMS-286x]] LINK-BROKEN __. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz.+  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1388EN|HSMS-286x]]LINK-BROKEN__. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz.
   * [[http://www.google.com/url?sa=t&source=web&cd=1&ved=0CBgQFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.fairchildsemi.com%2Fds%2FMB%2FMBR1045.pdf&rct=j&q=MBR1060&ei=tufSTMXwCsf4sgb029X9Cw&usg=AFQjCNFCFWx9L7io3J7Wjc8LeKirSpG5Sw&sig2=9OLTHA3WdL0aLXIU03Lw8g&cad=rja|MBR1060]]. Durch die Bauform [[http://en.wikipedia.org/wiki/TO220|TO220]] eignet sich diese Diode für Stromstöße bis 100A. Erhältlich bei Reichelt für 40 ¢.   * [[http://www.google.com/url?sa=t&source=web&cd=1&ved=0CBgQFjAA&url=http%3A%2F%2Fwww.fairchildsemi.com%2Fds%2FMB%2FMBR1045.pdf&rct=j&q=MBR1060&ei=tufSTMXwCsf4sgb029X9Cw&usg=AFQjCNFCFWx9L7io3J7Wjc8LeKirSpG5Sw&sig2=9OLTHA3WdL0aLXIU03Lw8g&cad=rja|MBR1060]]. Durch die Bauform [[http://en.wikipedia.org/wiki/TO220|TO220]] eignet sich diese Diode für Stromstöße bis 100A. Erhältlich bei Reichelt für 40 ¢.
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/389/CD00001325-250676.pdf|STPS2L25U]] LINK-BROKEN __ Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, die 25 V aushält und bis zu 2 A durchleiten kann. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für unter 10 ¢.+  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/389/CD00001325-250676.pdf|STPS2L25U]]LINK-BROKEN__ Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, die 25 V aushält und bis zu 2 A durchleiten kann. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für unter 10 ¢.
  
 ==== Zener ==== ==== Zener ====
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 Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als "echte" Dioden. Die üblichen Silizium-Dioden lassen bei Raumtemperatur etwa 5 µA in Sperrrichtung durch. Das steigt bei 100 °C auf immerhin 500 µA an. Der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor bei den meisten bipolaren Kleinsignal-Transistoren liegt dagegen bei 5 nA bei Raumtemperatur.  Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als "echte" Dioden. Die üblichen Silizium-Dioden lassen bei Raumtemperatur etwa 5 µA in Sperrrichtung durch. Das steigt bei 100 °C auf immerhin 500 µA an. Der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor bei den meisten bipolaren Kleinsignal-Transistoren liegt dagegen bei 5 nA bei Raumtemperatur. 
  
-Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117]] sind es sogar nur 0.1 pA. Leider wird dieser spezielle Transistor nicht mehr hergestellt und man bezahlt für Einzelstücke aus Restbeständen Seltenheitspreise von 7 EUR und mehr. Die nächste Annäherung aus laufender Produktion ist der __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/MMBF4117-195757.pdf|MMBF4117]] LINK-BROKEN __, bei dem immerhin 2 pA Leckstrom im Datenblatt angegeben sind.+Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117]] sind es sogar nur 0.1 pA. Leider wird dieser spezielle Transistor nicht mehr hergestellt und man bezahlt für Einzelstücke aus Restbeständen Seltenheitspreise von 7 EUR und mehr. Die nächste Annäherung aus laufender Produktion ist der __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/MMBF4117-195757.pdf|MMBF4117]]LINK-BROKEN__, bei dem immerhin 2 pA Leckstrom im Datenblatt angegeben sind.
  
 Der NPN-Transistor [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF|2N3904]] wird ebenfalls zum Einsatz als Diode mit besonders geringem Leckstrom empfohlen. Da bei ihm der PN-Übergang kleiner als bei regulären Dioden ist, ist er für hohe Frequenzen (> 100 kHz) die bessere Wahl. Ansonsten ist es ein recht populärer Klassiker, der von mehreren Herstellern angeboten wird. In der englischen Wikipedia gibt es zu diesem Transistor [[WP>2N904|einen eigenen Artikel]]. Der NPN-Transistor [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3903-D.PDF|2N3904]] wird ebenfalls zum Einsatz als Diode mit besonders geringem Leckstrom empfohlen. Da bei ihm der PN-Übergang kleiner als bei regulären Dioden ist, ist er für hohe Frequenzen (> 100 kHz) die bessere Wahl. Ansonsten ist es ein recht populärer Klassiker, der von mehreren Herstellern angeboten wird. In der englischen Wikipedia gibt es zu diesem Transistor [[WP>2N904|einen eigenen Artikel]].
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   * [[http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000694.pdf|BZW06]] sind bedrahtete TVS-Dioden, die kurzzeitig bis zu 600 W aufnehmen können. Bei der bidirektionalen Version ist ein "B" an den Namen angehängt.   * [[http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00000694.pdf|BZW06]] sind bedrahtete TVS-Dioden, die kurzzeitig bis zu 600 W aufnehmen können. Bei der bidirektionalen Version ist ein "B" an den Namen angehängt.
   * [[http://www.littelfuse.com/products/tvs-diodes/leaded/~/media/Electronics/Datasheets/TVS_Diodes/Littelfuse_TVS_Diode_P6KE_Datasheet.pdf.pdf|P6KExxx]] sind eine Alternative zu den BZW06. Bei ihnen hat die bidirektionale Version die Endung "CA".   * [[http://www.littelfuse.com/products/tvs-diodes/leaded/~/media/Electronics/Datasheets/TVS_Diodes/Littelfuse_TVS_Diode_P6KE_Datasheet.pdf.pdf|P6KExxx]] sind eine Alternative zu den BZW06. Bei ihnen hat die bidirektionale Version die Endung "CA".
-  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.taiwansemi.com/products/datasheet/P6SMB%20SERIES_N1701.pdf|P6SMBxxx]] LINK-BROKEN __ sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung "CA".+  * __ BROKEN-LINK:[[http://www.taiwansemi.com/products/datasheet/P6SMB%20SERIES_N1701.pdf|P6SMBxxx]]LINK-BROKEN__ sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung "CA".
  
 ==== Nahezu ideale Dioden ==== ==== Nahezu ideale Dioden ====