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bauteil:transistoren [2024/08/07 13:51] – [Table] moussabauteil:transistoren [2025/05/30 17:09] (current) – [IGBTs] Datenblatt aus dem Webarchiv "gerettet" kmk
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 ====== Kleinsignal-Transistoren ====== ====== Kleinsignal-Transistoren ======
-In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen __ BROKEN-LINK:[[http://www.sentex.ca/~mec1995/circ/tuptun/tuptun.htm|TUN, TUP, DUSoder DUG]]LINK-BROKEN__ zu verwenden, wenn der genaue Typ eines Halbleiters für die Funktion nicht wichtig ist. Die Abkürzungen stehen dabei für:+In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen :[[https://web.archive.org/web/20140814074631/https://www.sentex.ca/~mec1995/circ/tuptun/tuptun.htm|TUN, TUP, DUS oder DUG]] zu verwenden, wenn der genaue Typ eines Halbleiters für die Funktion nicht wichtig ist. Die Abkürzungen stehen dabei für:
   * TUN: transistor, universal, NPN   * TUN: transistor, universal, NPN
   * TUP: transistor, universal, PNP   * TUP: transistor, universal, PNP
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 Der Strom beruht in IGBTs wahlweise auf Löcherleitung (P-Kanal), oder auf beweglichen Elektronen (N-Kanal). Außerdem kann der Kanal bei am Gate angelegter Spannung öffnen, oder sperren. Daraus ergeben sich im Prinzip vier unterschiedliche Funktionsmuster. Ähnlich wie bei MOSFETs werden für Leistungsanwendungen aber nahezu ausschließlich öffnende N-Kanal Komponenten angeboten. Das heißt, ein typischer IGBT wird zwischen Kollektor und Emitter leitend, wenn an das Gate eine positive Spannung gegenüber dem Emitter anliegt. Der Strom beruht in IGBTs wahlweise auf Löcherleitung (P-Kanal), oder auf beweglichen Elektronen (N-Kanal). Außerdem kann der Kanal bei am Gate angelegter Spannung öffnen, oder sperren. Daraus ergeben sich im Prinzip vier unterschiedliche Funktionsmuster. Ähnlich wie bei MOSFETs werden für Leistungsanwendungen aber nahezu ausschließlich öffnende N-Kanal Komponenten angeboten. Das heißt, ein typischer IGBT wird zwischen Kollektor und Emitter leitend, wenn an das Gate eine positive Spannung gegenüber dem Emitter anliegt.
  
-  * Beim Magnesium-Experiment ist für die Umpolung der Fallen-Spulen ein Modul mit sechs IGBTs verbaut, die 450 A schalten können: [[http://www.semikron.com/products/data/cur/assets/SEMiX453GD176HDc_27890435.pdf|SemiX453GD176HDc]]*NotFoundOussama*+  * Beim Magnesium-Experiment ist für die Umpolung der Fallen-Spulen ein Modul mit sechs IGBTs verbaut, die 450 A schalten können: {{ :bauteil:datenblaetter:semikron_semix453gd176hdc_27890435.pdf |SemiX453GD176HDc}}
   * Bis etwa 70 A gibt es ein breites Angebot an einzelnen IGBTs in den Bauformen TO220 und TO247. Bei Quantus werden mit diesen Bauteilen die 40 A einer Magnetspule von Helmholtz- in Anti-Helmholtz-Konfiguration umgepolt.   * Bis etwa 70 A gibt es ein breites Angebot an einzelnen IGBTs in den Bauformen TO220 und TO247. Bei Quantus werden mit diesen Bauteilen die 40 A einer Magnetspule von Helmholtz- in Anti-Helmholtz-Konfiguration umgepolt.
  
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 IGBTs haben einige Eigenheiten. Dazu gehört eine recht große Kapazität am Gate, parasitäre Induktivitäten und das nichtlineare Verhalten der Body-Diode. Diese Abweichungen vom Ideal fallen besonders dann auf, wenn die IGBTs große Ströme schnell schalten sollen. Dann treten leicht Oszillationen auf, die die Funktion der Schaltung in Frage stellen. Das kann man in den Griff bekommen, indem man ein Netzwerk aus Kondensatoren, Widerständen und Dioden zwischen Emitter und Kollektor schaltet. Dieses Netzwerk heißt "Snubber". Es dient dazu, unerwünschte Spannungen abzuleiten.  IGBTs haben einige Eigenheiten. Dazu gehört eine recht große Kapazität am Gate, parasitäre Induktivitäten und das nichtlineare Verhalten der Body-Diode. Diese Abweichungen vom Ideal fallen besonders dann auf, wenn die IGBTs große Ströme schnell schalten sollen. Dann treten leicht Oszillationen auf, die die Funktion der Schaltung in Frage stellen. Das kann man in den Griff bekommen, indem man ein Netzwerk aus Kondensatoren, Widerständen und Dioden zwischen Emitter und Kollektor schaltet. Dieses Netzwerk heißt "Snubber". Es dient dazu, unerwünschte Spannungen abzuleiten. 
  
-Ärgerlicherweise gibt es kein universell anwendbares Snubber-Netzwerk. Es muss grob zur jeweiligen Anwendung passen. Hinweise zur Auslegung des Snubbers gibt es von Mitsubishi in einem informativen Dokument mit dem Titel "[[http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/powermos3_0.pdf|General Considerations for IGBT and Intelligent Power Modules]]". Dort wird auch auf Probleme eingegangen, die mit der Masse und der Abwärme auftreten können.+Ärgerlicherweise gibt es kein universell anwendbares Snubber-Netzwerk. Es muss grob zur jeweiligen Anwendung passen. Hinweise zur Auslegung des Snubbers gibt es von Mitsubishi in einem informativen Dokument mit dem Titel "{{ :bauteil:datenblaetter:mitsubishi_powermos3_0.pdf |General Considerations for IGBT and Intelligent Power Modules}}". Dort wird auch auf Probleme eingegangen, die mit der Masse und der Abwärme auftreten können.