meta data for this page
  •  

Differences

This shows you the differences between two versions of the page.

Link to this comparison view

Both sides previous revisionPrevious revision
Next revision		Previous revision
bauteil:transistoren [2024/08/07 12:53] – [Table] moussabauteil:transistoren [2025/05/30 17:09] (current) – [IGBTs] Datenblatt aus dem Webarchiv "gerettet" kmk
Line 3: Line 3:
  
 ====== Kleinsignal-Transistoren ====== ====== Kleinsignal-Transistoren ======
-In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen __ BROKEN-LINK:[[http://www.sentex.ca/~mec1995/circ/tuptun/tuptun.htm|TUN, TUP, DUS, oder DUG]]LINK-BROKEN__ zu verwenden, wenn der genaue Typ eines Halbleiters für die Funktion nicht wichtig ist. Die Abkürzungen stehen dabei für:+In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen :[[https://web.archive.org/web/20140814074631/https://www.sentex.ca/~mec1995/circ/tuptun/tuptun.htm|TUN, TUP, DUS oder DUG]] zu verwenden, wenn der genaue Typ eines Halbleiters für die Funktion nicht wichtig ist. Die Abkürzungen stehen dabei für:
   * TUN: transistor, universal, NPN   * TUN: transistor, universal, NPN
   * TUP: transistor, universal, PNP   * TUP: transistor, universal, PNP
Line 70: Line 70:
 | {{ :bauteil:datenblaetter:BS170.pdf |BS170}}              |     TO92 |           60 V |            2.5 Ω |       0.3 A | 0.12 € bei Reichelt                                   | | {{ :bauteil:datenblaetter:BS170.pdf |BS170}}              |     TO92 |           60 V |            2.5 Ω |       0.3 A | 0.12 € bei Reichelt                                   |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:BSP229.pdf |BSP299}}            |   SOT223 |          500 V |              4 Ω |       0.4 A | 1.16 € bei Bürklin                                    | | {{ :bauteil:datenblaetter:BSP229.pdf |BSP299}}            |   SOT223 |          500 V |              4 Ω |       0.4 A | 1.16 € bei Bürklin                                    |
-| {{ :bauteil:datenblaetter:STF3LN80K5.pdf |STF3LN80K5}}    |    TO220 |          800 V |            3.2 Ω |          2A | 1 € bei Farnell. Sehr kleine Gate-Kapazität (100 pF)  | +| {{ :bauteil:datenblaetter:STF3LN80K5.pdf |STF3LN80K5}}    |    TO220 |          800 V |            3.2 Ω |         2 A | 1 € bei Farnell. Sehr kleine Gate-Kapazität (100 pF)  | 
-| {{ :bauteil:datenblaetter:STD3LN80K5.pdf |STD3LN80K5}}    |    TO252 |          800 V |            3.2 Ω |          2A | Wie STF3LN80K5, aber in SMD-Bauform                   | +| {{ :bauteil:datenblaetter:STD3LN80K5.pdf |STD3LN80K5}}    |    TO252 |          800 V |            3.2 Ω |         2 A | Wie STF3LN80K5, aber in SMD-Bauform                   | 
-| {{ :bauteil:datenblaetter:IRFBG30.pdf |IRFBG30}}          |    TO220 |         1000 V |              4 Ω |          2A | 0.99 € bei Reichelt und Bürklin                       |+| {{ :bauteil:datenblaetter:IRFBG30.pdf |IRFBG30}}          |    TO220 |         1000 V |              4 Ω |         2 A | 0.99 € bei Reichelt und Bürklin                       |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:BUZ50A.pdf |BUZ50A}}            |    TO220 |         1000 V |              5 Ω |       2.5 A | wird nicht mehr hergestellt. 2 Stück im Schrank       | | {{ :bauteil:datenblaetter:BUZ50A.pdf |BUZ50A}}            |    TO220 |         1000 V |              5 Ω |       2.5 A | wird nicht mehr hergestellt. 2 Stück im Schrank       |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:IRLML0060.pdf |IRLML0060}}      |    SOT23 |           60 V |            0.1 Ω |       2.7 A | für den Verpolungsschutz. 0.10 € bei TME              | | {{ :bauteil:datenblaetter:IRLML0060.pdf |IRLML0060}}      |    SOT23 |           60 V |            0.1 Ω |       2.7 A | für den Verpolungsschutz. 0.10 € bei TME              |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:IRF720.pdf |IRF720}}            |    TO220 |          400 V |            1.8 Ω |       3.3 A | 0.47 € bei Reichelt                                   | | {{ :bauteil:datenblaetter:IRF720.pdf |IRF720}}            |    TO220 |          400 V |            1.8 Ω |       3.3 A | 0.47 € bei Reichelt                                   |
-| {{ :bauteil:datenblaetter:TSM2312.pdf |TSM2312}}          |    SOT23 |           20 V |          0.033 Ω |          5A | 0.10 €/Stück im Hunderterpack bei Schukat             | +| {{ :bauteil:datenblaetter:TSM2312.pdf |TSM2312}}          |    SOT23 |           20 V |          0.033 Ω |         5 A | 0.10 €/Stück im Hunderterpack bei Schukat             | 
-| {{ :bauteil:datenblaetter:IRFI840.pdf |IRFI840}}          |  FULLPAK |          500 V |           0.85 Ω |          5A | Isoliertes TO220, 1.45 € bei Bürklin                  |+| {{ :bauteil:datenblaetter:IRFI840.pdf |IRFI840}}          |  FULLPAK |          500 V |           0.85 Ω |         5 A | Isoliertes TO220, 1.45 € bei Bürklin                  |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:PHT8N06LT.pdf |PHT8N06LT}}      |   SOT223 |           55 V |           0.08 Ω |       7.5 A | 0.38 € bei Bürklin                                    | | {{ :bauteil:datenblaetter:PHT8N06LT.pdf |PHT8N06LT}}      |   SOT223 |           55 V |           0.08 Ω |       7.5 A | 0.38 € bei Bürklin                                    |
-| {{ :bauteil:datenblaetter:MTP3055.pdf |MTP3055}}          |    TO220 |           60 V |          0.018 Ω |         12A | 0.85 € bei Mouser                                     |+| {{ :bauteil:datenblaetter:MTP3055.pdf |MTP3055}}          |    TO220 |           60 V |          0.018 Ω |        12 A | 0.85 € bei Mouser                                     |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:ZXM64N035L3.pdf |ZXM64N035L3}}  |    TO220 |           35 V |           0.06 Ω |        13 A | 1 € bei Reichelt und Bürklin                          | | {{ :bauteil:datenblaetter:ZXM64N035L3.pdf |ZXM64N035L3}}  |    TO220 |           35 V |           0.06 Ω |        13 A | 1 € bei Reichelt und Bürklin                          |
 | {{ :bauteil:datenblaetter:IRFP460.pdf |IRFP460}}          |    TO247 |          500 V |           0.27 Ω |        20 A | 3.00 € bei Bürklin                                    | | {{ :bauteil:datenblaetter:IRFP460.pdf |IRFP460}}          |    TO247 |          500 V |           0.27 Ω |        20 A | 3.00 € bei Bürklin                                    |
Line 103: Line 103:
 Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden.
 <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric> <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric>
-^ Typ                                                                                                 ^       Bauform ^  max. Spannung ^  min. Widerstand ^  max. Strom ^ Kommentar                                             ^ +^ Typ                                                     ^       Bauform ^  max. Spannung ^  min. Widerstand ^  max. Strom ^ Kommentar                                             ^ 
-| [[http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDN308P.pdf|DN308]]                                            |        SSOT-3 |          -20 V |          0.125 Ω |       1.5 A |                                                       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:ZVP0545A.pdf |ZVP0545A}}      |          TO92 |         -450 V |            150 Ω |     0.045 A |                                                       | 
-| [[http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/216838/TSC/TSM2313.html|TSM2313]]                   |         SOT23 |          -20 V |           0.07 Ω |       3.3 A |                                                       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:bss84_d-1658817.pdf |BSS84}}  |         SOT23 |          -50 V |             10 Ω |      0.13 A | generischer P-MOSFET, 0.04 €/Stück                    | 
-| [[http://www.vishay.com/docs/65594/sud50p04-08.pdf|SUD50P04]]                                       |         TO252 |          -40 V |         0.0081 Ω |        50 A | 1.30 € bis 0.97 € bei RS                              | +| {{ :bauteil:datenblaetter:BS250P.pdf |BS250P}}          |          TO92 |          -45 V |             14 Ω |      0.23 A |                                                       | 
-| [[http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfp9140n.pdf|IRFP9140]]                          |         TO247 |         -100 V |          0,117 Ω |        23 A | Gegenstück zum IRFP064                                | +| {{ :bauteil:datenblaetter:BSP317P.pdf |BSP317P}}        |        SOT223 |         -250 V |              4 Ω |      0.43 A |                                                       | 
-| __ BROKEN-LINK:[[http://www.diodes.com/datasheets/BS250P.pdf|BS250P]]LINK-BROKEN__                                              |          TO92 |          -45 V |            14  Ω |      0.23 A |                                                       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:DN308.pdf |DN308}}            |        SSOT-3 |          -20 V |          0.125 Ω |       1.5 A |                                                       | 
-| [[http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlml9301pbf.pdf|IRLML9301]]                      |         SOT23 |          -30 V |            0.1 Ω |       3.6 A | für den Verpolungsschutz. 0.1 € bei TME               | +| {{ :bauteil:datenblaetter:TSM2313.pdf |TSM2313}}        |         SOT23 |          -20 V |           0.07 Ω |       3.3 A |                                                       | 
-| {{ :bauteil:datenblaetter:bss84_d-1658817.pdf |BSS84}}                                         |         SOT23 |          -50 V |             10 Ω |      0.13 A |  generischer P-MOSFET, 0.04 €/Stück                                                     | +| {{ :bauteil:datenblaetter:FQP4P40.pdf |FQP4P40}}        |         TO220 |         -400 V |            3.1 Ω |       3.5 A | 1 € bei RS                                            | 
-| __ BROKEN-LINK:[[http://www.mouser.com/ds/2/149/FDD5614P-1007225.pdf|FDD5614P]]LINK-BROKEN__                                    |         TO252 |          -60 V |           0.10 Ω |        15 A | 0.80 € bei Mouser / Farnell / RS                      | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRLML9301.pdf |IRLML9301}}    |         SOT23 |          -30 V |            0.1 Ω |       3.6 A | für den Verpolungsschutz. 0.1 € bei TME               | 
-| [[http://www.ozitronics.com/data/mtp2955.pdf|MTP2955]]                                              |         TO220 |          -60 V |           0.43 Ω |        12 A | Nicht mehr erhältlich. Ein Exemplar in der Schublade  | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRF9520.pdf |IRF9520}}        |         TO220 |          -100V |            0.6 Ω |         6 A | 0.50 € bei Reichelt                                   | 
-| [[http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9530n.pdf|IRF9530]]                            |         TO220 |          -100V |            0.2 Ω |        12 A | 0.60 € bei Reichelt                                   | +| {{ :bauteil:datenblaetter:MTP2955.pdf |MTP2955}}        |         TO220 |          -60 V |           0.43 Ω |        12 A | Nicht mehr erhältlich. Ein Exemplar in der Schublade  | 
-| [[http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf5305pbf.pdf|IRF5305]]                          |  TO220, D2PAK |           -55V |           0.06 Ω |        31 A | 0.60 € bei TME                                        | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRF9530.pdf |IRF9530}}        |         TO220 |          -100V |            0.2 Ω |        12 A | 0.60 € bei Reichelt                                   | 
-| [[http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9520n.pdf|IRF9520]]                            |         TO220 |          -100V |            0.6 Ω |         6 A | 0.50 € bei Reichelt                                   | +| {{ :bauteil:datenblaetter:FDD5614P.pdf |FDD5614P}}      |         TO252 |          -60 V |           0.10 Ω |        15 A | 0.80 € bei Mouser / Farnell / RS                      | 
-| [[http://www.farnell.com/datasheets/46008.pdf|BSP317P]]                                             |        SOT223 |         -250 V |              4 Ω |      0.43 A |                                                       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRFR5505.pdf |IRFR5505}}      |         TO252 |           -55V |           0.11 Ω |        18 A | 0,40 € bei Reichelt, Schukat, TME                     | 
-| [[https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FQ/FQP4P40.pdf|FQP4P40]]                                 |         TO220 |         -400 V |            3.1 Ω |       3.5 A | 1 € bei RS                                            | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRFP9140.pdf |IRFP9140}}      |         TO247 |         -100 V |          0,117 Ω |        23 A | Gegenstück zum IRFP064                                | 
-| __ BROKEN-LINK:[[http://www.diodes.com/datasheets/ZVP0545A.pdf|ZVP0545A]]LINK-BROKEN__                                          |          TO92 |         -450 V |            150 Ω |     0.045 A |                                                       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRF5305.pdf |IRF5305}}        |  TO220, D2PAK |           -55V |           0.06 Ω |        31 A | 0.60 € bei TME                                        | 
-| [[https://www.infineon.com/dgdl/irfr5505pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356358535210f|IRFR5505]]  |         TO252 |           -55V | 0.11 Ω           |        18 A | 0,40 € bei Reichelt, Schukat, TME                     |+| {{ :bauteil:datenblaetter:SUD50P04.pdf |SUD50P04}}      |         TO252 |          -40 V | 0.0081 Ω         |        50 A | 1.30 € bis 0.97 € bei RS                              |
  
 </sortable> </sortable>
Line 130: Line 130:
  
 <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric> <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric>
-^ Typ                                                                                               ^ Bauform  ^ max. Spannung  ^ min. Widerstand  ^ max. Strom  ^ Anmerkung                                                                                                         ^ +^ Typ                                                 ^ Bauform  ^ max. Spannung  ^ min. Widerstand  ^ max. Strom  ^ Anmerkung                                                                                                         ^ 
-| [[http://www.fairchildsemi.com/ds/BF/BF245C.pdf|BF245B]]                                          |     TO92 |           30 V |            150 Ω |       10 mA | für hohe Frequenzen                                                                                               | +| {{ :bauteil:datenblaetter:2N4117A.pdf |2N4117A}}    |    TO206 |           40 V |             10 Ω |      0.1 mA | extrem kleiner Leckstrom, 15 € bei Mouser                                                                         | 
-| [[https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/bfr30lt1-d.pdf|BFR30]]                                     |    SOT23 |           25 V |             20 Ω |       10 mA |                                                                                                                   | +| {{ :bauteil:datenblaetter:PN4117A.pdf |PN4117A}}    |     TO92 |           40 V |             10 Ω |      0.1 mA | Alternative zu 2N4117A, 4 € bei Mouser                                                                            | 
-| [[http://pdf.datasheetcatalog.com/datasheet/vishay/70239.pdf|2N4117A]]                            |    TO206 |           40 V |             10 Ω |      0.1 mA | extrem kleiner Leckstrom, 15 € bei Mouser                                                                         | +| {{ :bauteil:datenblaetter:MMBF4117.pdf |MMBF4117}}  |    SOT23 |           40 V |                  |      0.6 mA | sehr kleiner Leckstrom, 0.46 EUR bei Mouser, abgekündigt seit Oktober 2019, einige Exemplare in der “Schublade”.  | 
-| [[https://www.interfet.com/jfet-datasheets/jfet-2n4117-2n4118-2n4119a-interfet.r00.pdf|PN4117A]]  |     TO92 |           40 V |             10 Ω |      0.1 mA | Alternative zu 2N4117A, 4 € bei Mouser                                                                            | +| {{ :bauteil:datenblaetter:BF245B.pdf |BF245B}}      |     TO92 |           30 V |            150 Ω |       10 mA | für hohe Frequenzen                                                                                               | 
-| [[http://www.fairchildsemi.com/ds/MM/MMBF4117.pdf|MMBF4117]]                                      |    SOT23 |           40 V |                  |      0.6 mA | sehr kleiner Leckstrom, 0.46 EUR bei Mouser, abgekündigt seit Oktober 2019, einige Exemplare in der "Schublade".  | +| {{ :bauteil:datenblaetter:BFR30.pdf |BFR30}}        |    SOT23 |           25 V |             20 Ω |       10 mA |                                                                                                                   | 
-| [[https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BF862.pdf|BF862]]                                        |    SOT23 |           20 V |                  |       25 mA | besonders wenig Rauschen                                                                                          | +| {{ :bauteil:datenblaetter:BF862.pdf |BF862}}        |    SOT23 |           20 V |                  |       25 mA | besonders wenig Rauschen                                                                                          | 
-| [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MMBFJ113-D.PDF|MMBFJ113]]                                 |    SOT23 |           35 V |            100 Ω |       50 mA |                                                                                                                   | +| {{ :bauteil:datenblaetter:MMBFJ113.pdf |MMBFJ113}}  |    SOT23 |           35 V |            100 Ω |       50 mA |                                                                                                                   |
-                             | +
  
 </sortable> </sortable>
Line 150: Line 148:
  
 <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric> <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric>
-^ Typ                                                                     ^ Bauform  ^ max. Spannung  ^ min. Widerstand  ^ max. Strom  ^ Anmerkung                                    ^ +^ Typ                                                         ^ Bauform  ^ max. Spannung  ^ min. Widerstand  ^ max. Strom  ^ Anmerkung          ^ 
-| [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MMBFJ177LT1-D.PDF|MMBFJ177LT1G]]                |     SO23 |           30 V |            300 Ω |       60 mA | 0.30 € bei TME              | +| {{ :bauteil:datenblaetter:MMBFJ177LT1G.pdf |MMBFJ177LT1G}}  |     SO23 |           30 V |            300 Ω |       60 mA | 0.30 € bei TME     | 
-| [[https://www.mouser.de/datasheet/2/308/J176-1120637.pdf|J176]]                |     TO92 |           30 V |            300 Ω |       60 mA | 0.50 € bei Mouser              |+| {{ :bauteil:datenblaetter:J176.pdf |J176}}                  |     TO92 |           30 V |            300 Ω |       60 mA | 0.50 € bei Mouser  |
  
  
Line 158: Line 156:
  
 ====== IGBTs ====== ====== IGBTs ======
-Wenn besonders viel Strom geschaltet werden muss, eignen sich [[http://de.wikipedia.org/wiki/IGBT|IGBTs]]. Das sind bipolare Transistoren, deren Basis mit einem isolierten Gate angesprochen wird (**I**nsulated **G**ate **B**ipolar **T**ransistor). In gewisser Weise sind es also Kreuzungen zwischen bipolaren Transistoren und MOSFETs. Die [[http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-983.pdf|App-Note 983]] von IRF stellt die Gemeinsamkeiten und Unterschiede zwischen den beiden Bauteilklassen zusammen. Zwischen Emitter und Kollektor fällt auch bei voller Durchschaltung immer eine Spannung zwischen 1.5 V und 3 V ab. Das bedeutet für hohe Ströme eine entsprechend hohe Verlustleistung. Daher sind für IGBT Bauformen sinnvoll, die gut Wärme an einen Kühlkörper abführen können. +Wenn besonders viel Strom geschaltet werden muss, eignen sich [[http://de.wikipedia.org/wiki/IGBT|IGBTs]]. Das sind bipolare Transistoren, deren Basis mit einem isolierten Gate angesprochen wird (**I**nsulated **G**ate **B**ipolar **T**ransistor). In gewisser Weise sind es also Kreuzungen zwischen bipolaren Transistoren und MOSFETs. Die {{ :bauteil:datenblaetter:AN983.pdf |App-Note 983}} von IRF stellt die Gemeinsamkeiten und Unterschiede zwischen den beiden Bauteilklassen zusammen. Zwischen Emitter und Kollektor fällt auch bei voller Durchschaltung immer eine Spannung zwischen 1.5 V und 3 V ab. Das bedeutet für hohe Ströme eine entsprechend hohe Verlustleistung. Daher sind für IGBT Bauformen sinnvoll, die gut Wärme an einen Kühlkörper abführen können. 
  
 Ein anderer Unterschied zu MOSFETs bsteht darin, dass es bei IGBTs keine [[wpde>Inversdiode]] gibt. Stattdessen zeigen sie bei verkehrter Polung einen Durchbruch bei einer Spannung, die je nach Modell zwischen 10 V und 50 V liegt. Ein anderer Unterschied zu MOSFETs bsteht darin, dass es bei IGBTs keine [[wpde>Inversdiode]] gibt. Stattdessen zeigen sie bei verkehrter Polung einen Durchbruch bei einer Spannung, die je nach Modell zwischen 10 V und 50 V liegt.
Line 164: Line 162:
 Der Strom beruht in IGBTs wahlweise auf Löcherleitung (P-Kanal), oder auf beweglichen Elektronen (N-Kanal). Außerdem kann der Kanal bei am Gate angelegter Spannung öffnen, oder sperren. Daraus ergeben sich im Prinzip vier unterschiedliche Funktionsmuster. Ähnlich wie bei MOSFETs werden für Leistungsanwendungen aber nahezu ausschließlich öffnende N-Kanal Komponenten angeboten. Das heißt, ein typischer IGBT wird zwischen Kollektor und Emitter leitend, wenn an das Gate eine positive Spannung gegenüber dem Emitter anliegt. Der Strom beruht in IGBTs wahlweise auf Löcherleitung (P-Kanal), oder auf beweglichen Elektronen (N-Kanal). Außerdem kann der Kanal bei am Gate angelegter Spannung öffnen, oder sperren. Daraus ergeben sich im Prinzip vier unterschiedliche Funktionsmuster. Ähnlich wie bei MOSFETs werden für Leistungsanwendungen aber nahezu ausschließlich öffnende N-Kanal Komponenten angeboten. Das heißt, ein typischer IGBT wird zwischen Kollektor und Emitter leitend, wenn an das Gate eine positive Spannung gegenüber dem Emitter anliegt.
  
-  * Beim Magnesium-Experiment ist für die Umpolung der Fallen-Spulen ein Modul mit sechs IGBTs verbaut, die 450 A schalten können: [[http://www.semikron.com/products/data/cur/assets/SEMiX453GD176HDc_27890435.pdf|SemiX453GD176HDc]]+  * Beim Magnesium-Experiment ist für die Umpolung der Fallen-Spulen ein Modul mit sechs IGBTs verbaut, die 450 A schalten können: {{ :bauteil:datenblaetter:semikron_semix453gd176hdc_27890435.pdf |SemiX453GD176HDc}}
   * Bis etwa 70 A gibt es ein breites Angebot an einzelnen IGBTs in den Bauformen TO220 und TO247. Bei Quantus werden mit diesen Bauteilen die 40 A einer Magnetspule von Helmholtz- in Anti-Helmholtz-Konfiguration umgepolt.   * Bis etwa 70 A gibt es ein breites Angebot an einzelnen IGBTs in den Bauformen TO220 und TO247. Bei Quantus werden mit diesen Bauteilen die 40 A einer Magnetspule von Helmholtz- in Anti-Helmholtz-Konfiguration umgepolt.
  
 <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric> <sortable 5 3=numeric 4=numeric 5=numeric>
-^ Typ                                                                                                                               ^ Bauform  ^ max. Spannung  ^ max. V_CE  ^ max. Strom  ^ max. Leistung  ^ Kommentar                                              ^ +^ Typ                                                         ^ Bauform  ^ max. Spannung  ^ max. V_CE  ^ max. Strom  ^ max. Leistung  ^ Kommentar                                              ^ 
-| [[http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg4ph50udpbf.pdf|IRG4PH50U ]]                                                  |    TO220 |          600 V |      2.9 V |        45 A |   200 W | erhältlich bei Schukat, oder Reichelt für etwa 3.60 €  | +| {{ :bauteil:datenblaetter:STGW19.pdf |STGW19}}              |    TO247 |          600 V |      2.5 V |        42 A |          140 W | Freilaufdiode integriert, Farnell einzeln 2.50 €       | 
-| [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF|HGTG12N60A4 ]]                                                       |    TO247 |          600 V |      2.7 V |        54 A |   167 W | erhältlich bei Farnell ab 4.00 €                       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IRG4PH50U.pdf |IRG4PH50U}}        |    TO220 |          600 V |      2.9 V |        45 A |          200 W | erhältlich bei Schukat, oder Reichelt für etwa 3.60 €  | 
-| [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgw39nc60vd.pdf|STGW39 ]]                                                             |    TO247 |          600 V |      2.5 V |        80 A |   250 W | Freilaufdiode integriert, Farnell einzeln 6.80 €       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:HGTG12N60A4.pdf |HGTG12N60A4}}    |    TO247 |          600 V |      2.7 V |        54 A |          167 W | erhältlich bei Farnell ab 4.00 €                       | 
-| [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgw19nc60hd.pdf| STGW19 ]]                                                            |    TO247 |          600 V |      2.5 V |        42 A |   140 W | Freilaufdiode integriert, Farnell einzeln 2.50 €       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:IKW30N60T.pdf |IKW30N60T}}        |    TO247 |          600 V |     2.05 V |        60 A |          187 W | Freilaufdiode integriert, Farnell einzeln 6.40 €       | 
-| [[http://www.farnell.com/datasheets/12555.pdf| IKW30N60T ]]                                                                       |    TO247 |          600 V |     2.05 V |        60 A |   187 W | Freilaufdiode integriert, Farnell einzeln 6.40 €       | +| {{ :bauteil:datenblaetter:STGW39.pdf |STGW39}}              |    TO247 |          600 V |      2.5 V |        80 A |          250 W | Freilaufdiode integriert, Farnell einzeln 6.80 €       | 
-| [[http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/powermod/powmod/igbtmod/nf/cm300dy-24nf_e.pdf| CM300DY-24NF]]  |    Klotz |         1200 V |      2.0 V |       300 A |  1130 W | Zwei IGBTs in einem Gehäuse, etwa 300 €                | +| {{ :bauteil:datenblaetter:CM300DY-24NF.pdf |CM300DY-24NF}}  |    Klotz |         1200 V |      2.0 V |       300 A |         1130 W | Zwei IGBTs in einem Gehäuse, etwa 300 €                | 
-| [[http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/content/product/powermodule/igbt/a_series/cm600ha-24a_e.pdf| CM600HA-24H]]     |    Klotz |         1200 V |      2.1 V |       600 A |  3670 W | Einige im Lager der ElektronIQ, etwa 200 €             |+| {{ :bauteil:datenblaetter:CM600HA-24H.pdf |CM600HA-24H}}    |    Klotz |         1200 V |      2.1 V |       600 A |         3670 W | Einige im Lager der ElektronIQ, etwa 200 €             |
  
 </sortable> </sortable>
Line 188: Line 186:
 IGBTs haben einige Eigenheiten. Dazu gehört eine recht große Kapazität am Gate, parasitäre Induktivitäten und das nichtlineare Verhalten der Body-Diode. Diese Abweichungen vom Ideal fallen besonders dann auf, wenn die IGBTs große Ströme schnell schalten sollen. Dann treten leicht Oszillationen auf, die die Funktion der Schaltung in Frage stellen. Das kann man in den Griff bekommen, indem man ein Netzwerk aus Kondensatoren, Widerständen und Dioden zwischen Emitter und Kollektor schaltet. Dieses Netzwerk heißt "Snubber". Es dient dazu, unerwünschte Spannungen abzuleiten.  IGBTs haben einige Eigenheiten. Dazu gehört eine recht große Kapazität am Gate, parasitäre Induktivitäten und das nichtlineare Verhalten der Body-Diode. Diese Abweichungen vom Ideal fallen besonders dann auf, wenn die IGBTs große Ströme schnell schalten sollen. Dann treten leicht Oszillationen auf, die die Funktion der Schaltung in Frage stellen. Das kann man in den Griff bekommen, indem man ein Netzwerk aus Kondensatoren, Widerständen und Dioden zwischen Emitter und Kollektor schaltet. Dieses Netzwerk heißt "Snubber". Es dient dazu, unerwünschte Spannungen abzuleiten. 
  
-Ärgerlicherweise gibt es kein universell anwendbares Snubber-Netzwerk. Es muss grob zur jeweiligen Anwendung passen. Hinweise zur Auslegung des Snubbers gibt es von Mitsubishi in einem informativen Dokument mit dem Titel "[[http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/powermos3_0.pdf|General Considerations for IGBT and Intelligent Power Modules]]". Dort wird auch auf Probleme eingegangen, die mit der Masse und der Abwärme auftreten können.+Ärgerlicherweise gibt es kein universell anwendbares Snubber-Netzwerk. Es muss grob zur jeweiligen Anwendung passen. Hinweise zur Auslegung des Snubbers gibt es von Mitsubishi in einem informativen Dokument mit dem Titel "{{ :bauteil:datenblaetter:mitsubishi_powermos3_0.pdf |General Considerations for IGBT and Intelligent Power Modules}}". Dort wird auch auf Probleme eingegangen, die mit der Masse und der Abwärme auftreten können.