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bauteil:dioden [2018/08/02 19:57] – [Zener] SO23 → SOT23 kmk | bauteil:dioden [2024/08/06 08:02] (current) – [Transistoren als bessere Diode] moussa | ||
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==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:1n4001-d.pdf|1N400*}}, oder {{bauteil:m1-m7.pdf|M*}} |
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
* Maximaler Stoßstrom: 30 A | * Maximaler Stoßstrom: 30 A | ||
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
- | * Erholungszeit: | + | * Erholungszeit: |
* Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | * Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:bav103-d.pdf|BAV103}} Standard-Silizium-Diode |
* Maximaler Dauerstrom: 500 mA | * Maximaler Dauerstrom: 500 mA | ||
* Maximaler Stoßstrom: 1 A | * Maximaler Stoßstrom: 1 A | ||
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* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: SMD → [[wpde> | * Bauform: SMD → [[wpde> | ||
- | * | + | * {{bauteil:1n4148-d.pdf|1N4148}} und {{bauteil:ll4148-d.pdf|LL4148}}. Schnelle Standard-Silizium-Diode. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 300 mA | * Maximaler Dauerstrom: 300 mA | ||
* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:uf4007.pdf|UF4007}}. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
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==== Schottky ==== | ==== Schottky ==== | ||
Der Spannungsabfall von [[wpde> | Der Spannungsabfall von [[wpde> | ||
- | * [[http:// | + | * {{ :bauteil: |
- | * [[http:// | + | * {{ : |
- | * [[http://www.vishay.com/ | + | * {{ : |
- | * [[https:// | + | * {{ :bauteil:datenblaetter: |
- | * [[http:// | + | * {{ :bauteil: |
- | * [[http://www.avagotech.com/ | + | * {{ :bauteil: |
- | * [[http://www.avagotech.com/ | + | * {{ :bauteil:datenblaetter: |
- | * [[http:// | + | * {{ :bauteil:datenblaetter: |
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==== Zener ==== | ==== Zener ==== | ||
[[http:// | [[http:// | ||
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- | * [[https:// | + | * {{ : |
- | * [[https:// | + | * {{ :bauteil: |
- | * [[http:// | + | * {{ :bauteil: |
- | ==== JFET als bessere Diode ==== | + | ==== Mit sehr wenig Leckstrom |
- | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale | + | Manchmal ist es wichtig, dass in Sperrrichtung wirklich sehr wenig Strom durch eine Diode fließt -- etwa, wenn die |
+ | Ladung eines Kondensators längere Zeit gehalten werden soll. Manche | ||
+ | * {{ : | ||
+ | * {{ : | ||
- | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt | + | ==== Transistoren als bessere Diode ==== |
+ | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | ||
+ | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell {{ : | ||
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+ | Der NPN-Transistor {{ : | ||
==== MOSFET als Leistungsdiode ==== | ==== MOSFET als Leistungsdiode ==== | ||
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==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== | ==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== | ||
TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. | TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. | ||
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==== Nahezu ideale Dioden ==== | ==== Nahezu ideale Dioden ==== | ||
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Ideale Dioden sind auch als integrierte Bauteile erhältlich. Wobei diese Produkte meist auf den Einsatz in der Energieversorgung von digitalen Geräten ausgerichtet sind. Sie werden unter Bezeichnung " | Ideale Dioden sind auch als integrierte Bauteile erhältlich. Wobei diese Produkte meist auf den Einsatz in der Energieversorgung von digitalen Geräten ausgerichtet sind. Sie werden unter Bezeichnung " | ||
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