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bauteil:transistoren [2019/12/19 23:58] – [JFET, N-Kanal] 100 Ohm kmk | bauteil:transistoren [2021/03/29 17:31] – [Table] + STF3LN80K5 kmk | ||
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====== Hohe Stromverstärkung ======= | ====== Hohe Stromverstärkung ======= | ||
Eine wichtige Eigenschaft, | Eine wichtige Eigenschaft, | ||
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+ | Die Stromverstärkung eines einzelnen Transistors kann technisch bedingt nicht beliebig hohe Werte annehmen. Als Ausweg kann man zwei Transistoren so zusammenschalten, | ||
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====== Hohe Frequenz ====== | ====== Hohe Frequenz ====== | ||
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Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | ||
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- | ^ Typ ^ Bauform | + | ^ Typ |
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- | | [[http://www.fairchildsemi.com/ds/HG/HGTG12N60A4.pdf|HGTG12N60A4 ]] | + | | [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF|HGTG12N60A4 ]] |
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