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bauteil:transistoren [2019/12/15 16:21] – + PN4117A kmk | bauteil:transistoren [2022/03/28 15:49] – [Table] kmk | ||
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====== Kleinsignal-Transistoren ====== | ====== Kleinsignal-Transistoren ====== | ||
- | In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen [[http:// | + | In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen |
* TUN: transistor, universal, NPN | * TUN: transistor, universal, NPN | ||
* TUP: transistor, universal, PNP | * TUP: transistor, universal, PNP | ||
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Universelle Kleinsignaltransistoren in komplementären Paaren: | Universelle Kleinsignaltransistoren in komplementären Paaren: | ||
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- | ^ NPN (TUN) | + | ^ NPN (TUN) ^ PNP (TUP) |
- | | [[https:// | + | | [[https:// |
- | | [[http:// | + | | [[http:// |
- | | [[http://www.nxp.com/documents/ | + | | [[https://www.reichelt.de/index.html? |
- | | [[http://www.nxp.com/documents/ | + | | [[https://www.reichelt.de/index.html? |
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- | | [[http:// | + | | __ BROKEN-LINK: |
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====== Hohe Stromverstärkung ======= | ====== Hohe Stromverstärkung ======= | ||
Eine wichtige Eigenschaft, | Eine wichtige Eigenschaft, | ||
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- | ^ Modell | + | ^ Modell |
- | | [[http:// | + | | [[http:// |
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- | | [[http:// | + | | [[http:// |
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+ | Die Stromverstärkung eines einzelnen Transistors kann technisch bedingt nicht beliebig hohe Werte annehmen. Als Ausweg kann man zwei Transistoren so zusammenschalten, | ||
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+ | ^ Modell | ||
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====== Hohe Frequenz ====== | ====== Hohe Frequenz ====== | ||
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^ Modell | ^ Modell | ||
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Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | ||
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- | ^ Typ ^ Bauform ^ max. Spannung ^ min. Widerstand ^ max. Strom ^ Kommentar | + | ^ Typ |
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===== JFET, N-Kanal ===== | ===== JFET, N-Kanal ===== | ||
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+ | Die überwiegende Mehrheit der J-FETs ist wegen ihres vergleichsweise hohen Restwiderstands nur für kleine Ströme geeignet. Es gibt Ausnahmen, die allerdings ihren Exotenstatus durch Preise jenseits von 20 EUR/Stck anzeigen. | ||
- | Die überwiegende Mehrheit der J-FETs ist wegen ihres vergleichsweise hohen Restwiderstands | + | Genau wie bei den MOSFETs gibt es JFETs ebenfalls in Ausführungen mit N-Kanal und mit P-Kanal. Dabei sind J-FETS mit N-Kanal deutlich üblicher. Diese sperren bei einer negativen Spannung zwischen Gate und Source. |
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+ | Der extre | ||
+ | m geringe Leckstrom macht die 2N4117A zum traditionellen Mittel der Wahl für kapazitive Sensoren. Die nächstbeste Wahl ist ein MMBF4117. | ||
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+ | ===== JFET, P-Kanal ===== | ||
+ | Die grundsätzlichen Eigenschaften der JFETs mit P-Kanal ähneln denen von JFETs mit N-Kanal, | ||
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^ Typ ^ Bauform | ^ Typ ^ Bauform | ||
- | | [[http://www.fairchildsemi.com/ds/BF/BF245C.pdf|BF245B]] | TO92 | 30 V | | + | | [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MMBFJ177LT1-D.PDF|MMBFJ177LT1G]] | SO23 | 30 V | |
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- | Der extrem geringe Leckstrom macht die 2N4117A zum traditionellen Mittel der Wahl für kapazitive Sensoren. Die nächstbeste Wahl ist ein MMBF4117. | ||
====== IGBTs ====== | ====== IGBTs ====== | ||
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- | ^ Typ ^ Bauform | + | ^ Typ |
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- | | [[http://www.fairchildsemi.com/ds/HG/HGTG12N60A4.pdf|HGTG12N60A4 ]] | + | | [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF|HGTG12N60A4 ]] |
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