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bauteil:transistoren [2019/12/15 15:41] – einige Exemplare in der Schublade kmk | bauteil:transistoren [2024/02/23 18:35] – [MOSFET, N-Kanal] Lokales Datenblatt kmk | ||
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====== Kleinsignal-Transistoren ====== | ====== Kleinsignal-Transistoren ====== | ||
- | In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen [[http:// | + | In einigen Veröffentlichungen ist es üblich, die Abkürzungen |
* TUN: transistor, universal, NPN | * TUN: transistor, universal, NPN | ||
* TUP: transistor, universal, PNP | * TUP: transistor, universal, PNP | ||
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Universelle Kleinsignaltransistoren in komplementären Paaren: | Universelle Kleinsignaltransistoren in komplementären Paaren: | ||
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- | ^ NPN (TUN) | + | ^ NPN (TUN) ^ PNP (TUP) |
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====== Hohe Stromverstärkung ======= | ====== Hohe Stromverstärkung ======= | ||
Eine wichtige Eigenschaft, | Eine wichtige Eigenschaft, | ||
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+ | Die Stromverstärkung eines einzelnen Transistors kann technisch bedingt nicht beliebig hohe Werte annehmen. Als Ausweg kann man zwei Transistoren so zusammenschalten, | ||
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+ | ^ Modell | ||
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====== Hohe Frequenz ====== | ====== Hohe Frequenz ====== | ||
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^ Modell | ^ Modell | ||
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Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | Die Herstellung von P-MOSFETs stößt schneller an technologische Grenzen als bei N-MOSFETs. Das erklärt die geringe Auswahl an Modellen für besonders viel Strom, oder besonders hohe Spannung. Wenn es sich einrichten lässt, sollte man daher P-Kanal MOSFETs in Schaltungen für Hochspannung oder große Leistung vermeiden. | ||
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===== JFET, N-Kanal ===== | ===== JFET, N-Kanal ===== | ||
- | [[http:// | + | [[http:// |
+ | Die überwiegende Mehrheit der J-FETs ist wegen ihres vergleichsweise hohen Restwiderstands nur für kleine Ströme geeignet. Es gibt Ausnahmen, die allerdings ihren Exotenstatus durch Preise jenseits von 20 EUR/Stck anzeigen. | ||
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+ | Genau wie bei den MOSFETs | ||
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+ | Der extre | ||
+ | m geringe Leckstrom macht die 2N4117A zum traditionellen Mittel der Wahl für kapazitive Sensoren. Die nächstbeste Wahl ist ein MMBF4117. | ||
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+ | ===== JFET, P-Kanal ===== | ||
+ | Die grundsätzlichen Eigenschaften der JFETs mit P-Kanal ähneln denen von JFETs mit N-Kanal, nur dass alle Spannungen das entgegengesetzte Vorzeichen haben. Sie sperren also wenn das Gate eine positive Spannung relativ zu Source aufweist. | ||
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^ Typ ^ Bauform | ^ Typ ^ Bauform | ||
- | | [[http://www.fairchildsemi.com/ds/BF/BF245C.pdf|BF245B]] | TO92 | 30 V | | + | | [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/MMBFJ177LT1-D.PDF|MMBFJ177LT1G]] | SO23 | 30 V | |
- | | [[http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BFR30-31.pdf|BFR30]] | | + | | [[https://www.mouser.de/ |
- | | [[http:// | + | |
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- | | [[http:// | + | |
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- | Der extrem geringe Leckstrom macht die 2N4117A zum traditionellen Mittel der Wahl für kapazitive Sensoren. Die nächstbeste Wahl ist ein MMBF4117. | ||
====== IGBTs ====== | ====== IGBTs ====== | ||
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- | ^ Typ ^ Bauform | + | ^ Typ |
- | | [[http:// | + | | [[http:// |
- | | [[http://www.fairchildsemi.com/ds/HG/HGTG12N60A4.pdf|HGTG12N60A4 ]] | + | | [[https://www.onsemi.com/pub/Collateral/HGT1S12N60A4DS-D.PDF|HGTG12N60A4 ]] |
- | | [[http://http:// | + | | [[https:// |
- | | [[http:// | + | | [[https:// |
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