meta data for this page
Differences
This shows you the differences between two versions of the page.
Both sides previous revisionPrevious revisionNext revision | Previous revision | ||
bauteil:dioden [2024/01/16 23:26] – [Transient Votage Suppressor (TVS)] linkfix kmk | bauteil:dioden [2024/02/14 19:14] (current) – [Schottky] broken link entfernt kmk | ||
---|---|---|---|
Line 35: | Line 35: | ||
* [[http:// | * [[http:// | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * [[http:// |
* [[https:// | * [[https:// | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
Line 57: | Line 57: | ||
Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | ||
- | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// | + | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// |
Der NPN-Transistor [[https:// | Der NPN-Transistor [[https:// | ||
Line 67: | Line 68: | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * [[https://static1.squarespace.com/static/5416a926e4b09de8832655bc/t/ | + | * [[https://www.vishay.com/docs/88370/p6smb.pdf|P6SMBxxx]] sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung " |
==== Nahezu ideale Dioden ==== | ==== Nahezu ideale Dioden ==== |