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bauteil:dioden [2023/08/30 15:35] – [Universal-Silizium (DUS)] Linkfix zu DCcomponents kmk | bauteil:dioden [2024/02/14 18:47] – [Transistoren als bessere Diode] lokales Datenblatt MMBF4117 kmk | ||
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==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:1n4001-d.pdf|1N400*}}, oder {{bauteil:m1-m7.pdf|M*}} |
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
* Maximaler Stoßstrom: 30 A | * Maximaler Stoßstrom: 30 A | ||
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* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | * Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:bav103-d.pdf|BAV103}} Standard-Silizium-Diode |
* Maximaler Dauerstrom: 500 mA | * Maximaler Dauerstrom: 500 mA | ||
* Maximaler Stoßstrom: 1 A | * Maximaler Stoßstrom: 1 A | ||
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* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: SMD → [[wpde> | * Bauform: SMD → [[wpde> | ||
- | * | + | * {{bauteil:1n4148-d.pdf|1N4148}} und {{bauteil:ll4148-d.pdf|LL4148}}. Schnelle Standard-Silizium-Diode. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 300 mA | * Maximaler Dauerstrom: 300 mA | ||
* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | ||
- | * __ BROKEN-LINK:[[http:// | + | * {{bauteil:uf4007.pdf|UF4007}}. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
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* [[https:// | * [[https:// | ||
* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/stps2l25.pdf|STPS2L25U]] Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, |
==== Zener ==== | ==== Zener ==== | ||
[[http:// | [[http:// | ||
- | * [[http://www.diotec.com/pdf/ | + | * [[https:// |
* [[https:// | * [[https:// | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
- | * [[http:// | + | * [[https:// |
==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== | ==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== | ||
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Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | ||
- | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// | + | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// |
Der NPN-Transistor [[https:// | Der NPN-Transistor [[https:// | ||
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==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== | ==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== | ||
TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. | TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. | ||
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* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * [[https://static1.squarespace.com/static/5416a926e4b09de8832655bc/t/ | + | * [[https://www.vishay.com/docs/88370/p6smb.pdf|P6SMBxxx]] sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung " |
==== Nahezu ideale Dioden ==== | ==== Nahezu ideale Dioden ==== |