meta data for this page
Differences
This shows you the differences between two versions of the page.
Both sides previous revisionPrevious revisionNext revision | Previous revisionNext revisionBoth sides next revision | ||
bauteil:dioden [2022/03/28 13:43] – [Universal-Silizium (DUS)] kmk | bauteil:dioden [2024/01/16 23:24] – [Schottky] linkfix kmk | ||
---|---|---|---|
Line 5: | Line 5: | ||
==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:1n4001-d.pdf|1N400*}}, oder {{bauteil: |
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
* Maximaler Stoßstrom: 30 A | * Maximaler Stoßstrom: 30 A | ||
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
- | * Erholungszeit: | + | * Erholungszeit: |
* Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | * Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:bav103-d.pdf|BAV103}} Standard-Silizium-Diode |
* Maximaler Dauerstrom: 500 mA | * Maximaler Dauerstrom: 500 mA | ||
* Maximaler Stoßstrom: 1 A | * Maximaler Stoßstrom: 1 A | ||
Line 17: | Line 17: | ||
* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: SMD → [[wpde> | * Bauform: SMD → [[wpde> | ||
- | * | + | * {{bauteil:1n4148-d.pdf|1N4148}} und {{bauteil:ll4148-d.pdf|LL4148}}. Schnelle Standard-Silizium-Diode. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 300 mA | * Maximaler Dauerstrom: 300 mA | ||
* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | ||
- | * __ BROKEN-LINK:[[http:// | + | * {{bauteil:uf4007.pdf|UF4007}}. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
- | * Erholungszei | + | * Erholungszeit: 75 µs |
- | t: 75 µs | + | |
* Bauform: bedrahtet → DO-41 ( = DO-201AL) | * Bauform: bedrahtet → DO-41 ( = DO-201AL) | ||
Line 36: | Line 35: | ||
* [[http:// | * [[http:// | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * __ BROKEN-LINK: |
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ |
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ |
* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/stps2l25.pdf|STPS2L25U]] Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, |
==== Zener ==== | ==== Zener ==== | ||
[[http:// | [[http:// | ||
- | * [[http://www.diotec.com/pdf/ | + | * [[https:// |
* [[https:// | * [[https:// | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
- | * [[http:// | + | * [[https:// |
==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== | ==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== | ||
Line 58: | Line 57: | ||
Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | ||
- | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// | + | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// |
Der NPN-Transistor [[https:// | Der NPN-Transistor [[https:// | ||
Line 68: | Line 67: | ||
* [[http:// | * [[http:// | ||
* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * __ BROKEN-LINK: | + | * [[https://static1.squarespace.com/static/ |
==== Nahezu ideale Dioden ==== | ==== Nahezu ideale Dioden ==== |