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bauteil:dioden [2020/05/20 22:35] – [Transistoren als bessere Diode] kmk | bauteil:dioden [2024/01/16 23:26] – [Transient Votage Suppressor (TVS)] linkfix kmk | ||
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==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ==== Universal-Silizium (DUS) ==== | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:1n4001-d.pdf|1N400*}}, oder {{bauteil:m1-m7.pdf|M*}} |
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
* Maximaler Stoßstrom: 30 A | * Maximaler Stoßstrom: 30 A | ||
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
- | * Erholungszeit: | + | * Erholungszeit: |
* Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | * Bauform: bedrahtet → DO-41 (1N400*), oder SMD → SMA-F (M*) | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:bav103-d.pdf|BAV103}} Standard-Silizium-Diode |
* Maximaler Dauerstrom: 500 mA | * Maximaler Dauerstrom: 500 mA | ||
* Maximaler Stoßstrom: 1 A | * Maximaler Stoßstrom: 1 A | ||
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* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: SMD → [[wpde> | * Bauform: SMD → [[wpde> | ||
- | * | + | * {{bauteil:1n4148-d.pdf|1N4148}} und {{bauteil:ll4148-d.pdf|LL4148}}. Schnelle Standard-Silizium-Diode. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 300 mA | * Maximaler Dauerstrom: 300 mA | ||
* Erholungszeit: | * Erholungszeit: | ||
* Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | * Bauform: bedrahtet → (1N4148), oder Minimelf (LL4148) | ||
- | * [[http:// | + | * {{bauteil:uf4007.pdf|UF4007}}. Mäßig schnelle Leistungsdiode für höhere Spannung. Erhältlich bei den üblichen Verdächtigen für etwa 5 ¢/St. |
* Maximale Gegenspannung: | * Maximale Gegenspannung: | ||
* Maximaler Dauerstrom: 1 A | * Maximaler Dauerstrom: 1 A | ||
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* [[http:// | * [[http:// | ||
* [[https:// | * [[https:// | ||
- | * [[http:// | + | * __ BROKEN-LINK: |
- | * [[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1377EN|HSMS-285x]]. Sehr schnelle Diode, die bis 1.5 GHz vernünftig funktioniert. | + | * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ |
- | * [[http://www.avagotech.com/docs/AV02-1388EN|HSMS-286x]]. Noch schnellere Diode, für bis zu 6 GHz. | + | * [[https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sheets/ |
* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * [[http://www.mouser.com/ds/2/389/CD00001325-250676.pdf|STPS2L25U]] Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, | + | * [[https://www.st.com/resource/en/datasheet/stps2l25.pdf|STPS2L25U]] Eine Schottkydiode in SMD-Bauweise, |
==== Zener ==== | ==== Zener ==== | ||
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- | * [[http://www.diotec.com/pdf/ | + | * [[https:// |
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==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== | ==== Mit sehr wenig Leckstrom ==== | ||
Manchmal ist es wichtig, dass in Sperrrichtung wirklich sehr wenig Strom durch eine Diode fließt -- etwa, wenn die | Manchmal ist es wichtig, dass in Sperrrichtung wirklich sehr wenig Strom durch eine Diode fließt -- etwa, wenn die | ||
Ladung eines Kondensators längere Zeit gehalten werden soll. Manche Dioden sind in dieser Hinsicht sehr viel besser geeignet als eine Standard-DUS. | Ladung eines Kondensators längere Zeit gehalten werden soll. Manche Dioden sind in dieser Hinsicht sehr viel besser geeignet als eine Standard-DUS. | ||
- | * [[https:// | + | |
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==== Transistoren als bessere Diode ==== | ==== Transistoren als bessere Diode ==== | ||
Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | Wenn die Anwendung nach einer möglichst ideale Diode mit möglichst verschwindendem Leckstrom verlangt, haben JFETs und manche bipolaren Transistoren die besseren Karten als " | ||
- | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// | + | Bei JFETs liegt zwischen Gate und Source ebenfalls ein PN-Übergang. Der lässt bei vielen Modellen einen Leckstrom von 1 nA durch. Bei dem auf besonders niedrigen Leckstrom optimierten Modell [[http:// |
Der NPN-Transistor [[https:// | Der NPN-Transistor [[https:// | ||
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==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== | ==== Transient Votage Suppressor (TVS) ==== | ||
TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. | TVS-Dioden sind speziall dafür optimiert schnell, viel Strom ableiten zu können, damit dahinter geschaltete Geräte keine Überspannung zu sehen bekommen. Sie sind das Mittel der Wahl, wenn es darum geht, empfindliche Eingänge gegen elektrostatische Angriff zu schützen. Es gibt sie in unidirektionaler (gepolter) und bidirektionaler Version. Die unidirektionalen TVS-Dioden verhalten sich in Vorwärtsrichtung wie normale Silizium-Dioden. Das heißt, sie werden bei etwa 0.7 V leitend. Bidirektionale TVS-Dioden halten in beide Richtungen ihre Nennspannung. | ||
- | * [[http:// | + | * [[https:// |
* [[http:// | * [[http:// | ||
- | * [[http://www.taiwansemi.com/products/datasheet/P6SMB%20SERIES_N1701.pdf|P6SMBxxx]] sind ebenfalls 600W TVS-Dioden, allerdings in SMD-Bauform (JEDEC DO214AA). Die bidirektionale Version trägt die Endung " | + | * [[https://static1.squarespace.com/static/5416a926e4b09de8832655bc/t/ |
==== Nahezu ideale Dioden ==== | ==== Nahezu ideale Dioden ==== |